ФТП, 2010, том 44, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области
светоизлучающих диодов

Н.В.Крыжановская\kern1pt*,+,,, В.В.Лундин\kern1pt*,+, А.Е.Николаев\kern1pt*,+, А.Ф.Цацульников\kern1pt*,+, А.В.Сахаров\kern1pt*,+,
М.М.Павлов\kern1pt+, Н.А.Черкашин\kern1pt\wedge, M.J.Hytch\kern1pt\wedge, Г.А.Вальковский\kern1pt*, М.А.Яговкина\kern1pt*, С.О.Усов\kern1pt+

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
\wedge Center for Material Elaboration \& Structural Studies of the National Center for Scientific Research,
31055 Toulouse, France

(Получена 17 ноября 2009 г. Принята к печати 23 ноября 2009 г.)

Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN, синтезированных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках. Для формирования сверхрешеток использовался метод периодического прерывания роста слоя InGaN с подачей водорода в реактор. Показано, что при использовании предложенного метода происходит формирование периодической структуры InGaN/GaN с развитыми интерфейсами и областями смыкания соседних слоев InGaN, не коррелированными в вертикальном направлении. Формирование таких областей приводит к сильной зависимости формы спектров излучения сверхрешеток от числа периодов в диапазоне 400-470 нм.

 PDF версия (1.1Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster