Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами

Емцев В.В.¹, Иванов А.М.¹, Козловский В.В.², Лебедев А.А.¹, Оганесян Г.А.¹, Строкан Н.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 апреля 2009 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обсуждаются скорости удаления носителей заряда из зоны проводимости в FZ-Si и 4H-SiC n-типа, подвергнутых облучению протонами с энергией 8 и 15 МэВ при комнатной температуре. Приведены расчетные оценки скоростей образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля) в этих материалах, которые сравниваются с экспериментально определенными величинами. Протоны создают дефекты в каскадах соударений с участием атомов отдачи самой кристаллической решетки. Проведено сопоставление с аналогичными данными, полученными ранее при облучении FZ-Si и 4H-SiC n-типа электронами с энергией 900 кэВ, когда среди первичных радиационных дефектов абсолютно доминируют изолированные так называемые близкие пары Френкеля. Установлено, что модель образования E-центров, которая очень хорошо описывает уменьшение удельной электропроводности n-FZ-Si при электронном облучении, не подходит для интерпретации экспериментальных данных, полученных при протонном облучении. Относительно 4H-SiC ставится вопрос о существенном отжиге "простых" радиационных дефектов типа близких пар Френкеля во время облучения при комнатной температуре.

J.B. Casady, R.W. Johnson. Sol. St. Electron., 39, 1409 (1996)
S. Nishino, J. Powell, N.A. Will. Appl. Phys. Lett., 42, 460 (1983).
П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. ФТП, 43 ( 4), 527 (2009)
G. Lindstrom, M. Moll, E. Fretwurst. Nucl. Instrum. Meth. A, 426, 1 (1999)
А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонв (СПб., Наука, 2003)
В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42, 243 (2008)
J.M. Poate, J.S. Williams. In: Ion Implantation and Beam Processing, ed. by J.S. Williams, J.M. Poate (Academic, Sydney, 1984) p. 13
G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev. A, 134, 1359 (1964)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
D. Aberg, A. Hallen, P. Pellegrino, B.G. Swensson. Appl. Phys. Lett., 78, 2908 (2001)
M. Mikelsen, U. Grossner, J.H. Bleka, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, R. Yakimova, A. Henry, E. Janzen, A.A. Lebedev. Mater. Sci. Forum, 600-- 603, 425 (2009)
W.A. MacKinley, H. Feshbach. Phys. Rev., 74, 1759 (1948)
Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Academic Press. Inc., 1984)
Н.А. Витовский, Д. Мустафакулов, А.П. Чекмарева. ФТП, 11 ( 9), 1747 (1977)
E. Holmstrom, A. Kuronen, K. Nordlund. Phys. Rev. B, 78, 045202 (2008)
J.W. Steeds, F. Carosella, G.A. Evans, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli. Mater. Sci. Forum, 353-- 356, 381 (2001)
J.W. Steeds, G.A. Evans, S. Furkert, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli, F. Carosella. Diamond Relat. Mater., 11, 1923 (2002)
Ю.В. Булгаков, Т.И. Коломенская. ФТП, 1, 422 (1967)
В.С. Вавилов, Н.У. Исаев, Б.Н. Мукашев, А.В. Спицын. ФТП, 6, 1041 (1972)
J.S. Blakemore. Semiconductor Statistics, N.Y., 1962
L.Palmetshofer, J. Reisinger. J. Appl. Phys., 72, 2167 (1992)
T. Wada, K. Yasuda, S. Ikuta, M. Takeda, H. Masuda. J. Appl. Phys., 48, 2145 (1977)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
A.Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053706 (2005)
H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, I. Vickridge, G. Battistig. Phys. Rev. B, 62, 10 126 (2000)
A.A. Lebedev, A.I. Veinger, V.V. Kozlovski, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
B.G. Svensson, A. Hallen, M.K. Linnarsson, A.Yu. Kuznetsov, M.S. Janson, D. Aberg, J. Osterman, P.O.A. Persson, L. Hultman, L. Storasta, F.H.C. Carlsson, J.P. Bergman, C. Jagadish, E. Morvan. Mater. Sci. Forum, 353-- 356, 549 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель