ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Осаждение тонких пленок Bi2Te3 и Sb2Te3 методом импульсной лазерной абляции

И.С.Вирт +*, Т.П.Шкумбатюк +, И.В.Курило $, И.О.Рудый $, И.Е.Лопатинский $,
Л.Ф.Линник \#, В.В.Тетеркин \#, А.Г.Федоров

+ Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко,
82100 Дрогобыч, Украина
* Institute of Physics, University of Rzeszow,
35-959 Rzeszow, Poland
$ Национальный университет \glqq Львовская политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
\# Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины,
61001 Харьков, Украина

(Получена 26 января 2009 г. Принята к печати 20 ноября 2009 г.)

Методом импульсной лазерной абляции получены пленки Bi2Te3 и Sb2Te3. Пленки осаждались в вакууме (1·10-5 мм рт. ст.) на подогретые до температуры 453-523 K монокристаллические подложки Al2O3 (0001), BaF2 (111) и свежие сколы KCl или NaCl (001). Толщина пленок составляла 10-1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследовалась методом рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок измерялись в температурном интервале 77-300 K. Показано, что пленки обладают полупроводниковыми свойствами. На температурных зависимостях удельного сопротивления наблюдается несколько активационных участков, энергии которых зависят от толщины пленки и размеров кристаллитов.

 PDF версия (1.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster