ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев,
полученных совместным распылением разнесенных
в пространстве источников SiO2 и Si

С.Н.Шамин\kern1pt, В.Р.Галахов, В.И.Аксенова\kern1pt*, А.Н.Карпов\kern1pt+, Н.Л.Шварц\kern1pt+, З.Ш.Яновицкая\kern1pt+,
В.А.Володин\kern1pt+, И.В.Антонова\kern1pt+, Т.Б.Ежевская\kern1pt+, J.Jedrzejewski\kern1ptx, E.Savir\kern1ptx, I.Balberg\kern1ptx

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620041 Екатеринбург, Россия
* Уральская государственная юридическая академия,
620041 Екатеринбург, Россия
+ Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
x Racah Institute of Physics, Hebrew University,
91904 Jerusalem, Israel

(Получена 30 июля 2009 г. Принята к печати 10 сентября 2009 г.)

Методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной и инфракрасной спектроскопии исследована композитная структура Si/SiO2, полученная напылением из источников Si и SiO2 на кремниевую подложку. Разнесение источников на значительное расстояние (96 мм) позволило варьировать состав слоя вдоль образца в широких пределах, от почти чистого SiO2 до Si. Рентгеновские эмиссионные L2,3-спектры диагностировали в полученных слоях аморфный кремний a-Si и оксид кремния SiO2. Инфракрасные спектры показали в полученных слоях наличие нанокристаллов кремния. Определено изменение содержания Si/SiO2 вдоль пластины и проведено сравнение данных, полученных упомянутыми выше методами, с результатами расчета состава слоя и измерения толщин слоев профилометром.

 PDF версия (869Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster