ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO2 при облучении быстрыми тяжелыми ионами

Г.А.Качурин , С.Г.Черкова, В.А.Скуратов *, Д.В.Марин, А.Г.Черков

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Объединенный институт ядерных исследований,
141980 Дубна, Россия

(Получена 6 августа 2009 г. Принята к печати 7 сентября 2009 г.)

Слои SiO2 с избыточным имплантированным Si облучали ионами Xe, 130 МэВ дозами 3·1012-1014 см-2. После 3·1012 см-2 электронная микроскопия выявила ~1012 см-2 выделений размерами 3-4 нм. С ростом дозы их размеры и число возрастали. В спектрах фотолюминесценции обнаружена полоса 660-680 нм, интенсивность которой зависела от дозы. После пассивации водородом при 500oC полоса исчезала, но появлялась новая вблизи 780 нм, характерная для нанокристаллов Si. На основании совокупности всех данных сделан вывод, что полоса 660-680 нм обусловлена несовершенными кремниевыми нанокристаллами, растущими в треках ионов Xe благодаря высоким ионизационным потерям. Немонотонная зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы объясняется различием между диаметрами треков и каскадов смещений, ответственных за дефектообразование.

 PDF версия (974Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster