ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние низкотемпературных отжигов на фотолюминесценцию кремниевых нанокластерных структур

Б.Н.Романюк , В.П.Мельник, В.Г.Попов, И.М.Хацевич, А.С.Оберемок

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 6 мая 2009 г. Принята к печати 3 июня 2009 г.)

Приведены результаты экспериментальных исследований спектров фотолюминесценции кремниевых нанокластерных структур, полученных после высокотемпературного отжига (1150oC) осажденных на Si пленок SiOx и последующих низкотемпературных отжигов при температуре 450oC в разных средах. Показано, что интенсивность фотолюминесценции существенно возрастает после низкотемпературного отжига, причем максимальный эффект наблюдается после отжига в смеси кислорода и азота. При этом спектр фотолюминесценции сдвигается в длинноволновую область и имеет форму широкой полосы с максимумом в области 880 нм. Механизмы, ответственные за увеличение интенсивности фотолюминесценции при низкотемпературном отжиге в смеси кислорода и азота, связаны с реконструкцией границ раздела Si/SiO2 и формированием на этих границах энергетических уровней, которые участвуют в рекомбинации неравновесных носителей заряда. В квазихимических реакциях создания таких уровней принимают участие атомы кислорода и азота, а начальными центрами реакций являются ненасыщенные валентные связи на границах раздела нанокластеров Si и матрицы SiO2.

 PDF версия (714Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster