ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO2: структурные, оптические, электронные свойства

И.В.Антонова\kern1pt, В.А.Скуратов\kern1pt+, J.Jedrzejewski\kern1pt*, I.Balberg\kern1pt*

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
+ Объединенный центр ядерных исследований,
141980 Дубна, Россия
* Racah Institute of Physics, Hebrew University,
Jerusalem, Israel

(Получена 3 авгуcта 2009 г. Принята к печати 7 сентября 2009 г.)

Обнаружено, что облучение слоев SiO2, содержащих нанокристаллы кремния (нк-Si), тяжелыми ионами высоких энергий приводит к существенным структурным изменениям --- формированию вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов вдоль треков ионов. Следствием подобного воздействия является значительное изменение электрических (проводимости, вольт-фарадных характеристик) и оптических свойств (фотолюминесценции) слоев с нанокристаллами.

 PDF версия (921Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster