ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC

Т.В.Бланк , Ю.А.Гольдберг, Е.А.Поссе, Ф.Ю.Солдатенков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 18 августа 2009 г. Принята к печати 7 сентября 2009 г.)

Изучалось протекание тока в омическом контакте In-n-4H-SiC (n~3·1017 см-3) на основании зависимости сопротивления контакта, приведенного к единице площади, от температуры. Установлено, что основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия через барьер ~0.1 эВ. При этом эффективная постоянная Ричардсона оказалась равной ~2·10-2 А/см2·K.

 PDF версия (533Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster