ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Стимулированное излучение на длине волны 2.5 мкм, при комнатной температуре, из оптически возбужденных структур
на основе CdxHg1-xTe

А.А.Андронов, Ю.Н.Ноздрин, А.В.Окомельков\kern1pt, В.С.Варавин\kern1pt*, Н.Н.Михайлов\kern1pt*, Г.Ю.Сидоров\kern1pt*

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 4 августа 2009 г. Принята к печати 4 сентября 2009 г.)

Обсуждаются основные требования к оптимизации структур на основе КРТ (CdxHg1-xTe) для увеличения длины волны стимулированного излучения из них при оптической накачке. Экспериментально продемонстрировано возникновение стимулированного излучения в диапазоне 2-2.5 мкм при комнатной температуре на оптимизированных КРТ-структурах, выращенных на GaAs-подложках с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из КРТ-структур. Измеренные при этом значения коэффициента усиления в активной среде являются весьма большими и доходят до значений 50 см-1, что позволяет надеяться на возможность дальнейшего продвижения в длинноволновую область.

 PDF версия (572Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster