ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Радиационные повреждения контактных структур
с диффузионными барьерами, подвергнутых gamma-облучению 60Co

А.Е.Беляев, Н.С.Болтовец *, Р.В.Конакова , В.В.Миленин, Ю.Н.Свешников +, В.Н.Шеремет

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
+ Государственное предприятие Научно-исследовательский институт \glqq Орион\grqq,
03057 Киев, Украина
* ЗАО \glqq Элма-Малахит\grqq,
124460 Зеленоград, Россия

(Получена 30 июля 2009 г. Принята к печати 20 августа 2009 г.)

Рассмотрено влияние ионизирующего излучения gamma-квантами 60Co в диапазоне доз 104-2·109 рад на контакты металл--полупроводник Au-ZrBx-AlGaN/GaN и Au-TiBx-Al-Ti-n-GaN, а также диодов Шоттки Au-ZrBx-n-GaN. Контакты с диффузионными барьерами TiBx и ZrBx при воздействии ионизирующей радиации не деградируют до доз =<sssim108 рад. Диоды Шоттки Au-ZrBx-n-GaN остаются стабильными в диапазоне доз 104-106 рад. С увеличением дозы облучения >~=108 рад возрастает дефектность контактной металлизации, сопровождающаяся образованием сквозных пор, что способствует скоплению кислорода на границах раздела Au-ZrBx(TiBx) и возрастанию массопереноса атомов контактообразующих слоев. При этом наблюдается радиационная деградация диодов Шоттки. Проанализированы возможные механизмы радиационного повреждения контактных структур с диффузионными барьерами.

 PDF версия (1.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster