ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs
на стадии охлаждения

В.А.Кагадей, Е.В.Нефедцев *

НИИ полупроводниковых приборов,
634034 Томск, Россия
* Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук,
634055 Томск, Россия

(Получена 5 февраля 2009 г. Принята к печати 9 сентября 2009 г.)

Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда, активной легирующей примеси и распределения электрического поля в приповерхностном слое гидрогенизированного p-GaAs в процессе охлаждения образца после окончания этапа введения водорода. Показано, что вид конечных концентрационных профилей водородсодержащих частиц и распределение внутреннего электрического поля в гидрогенизированном слое p-GaAs зависят от температурно-временного режима охлаждения образца. Степень влияния скорости охлаждения на конечное состояние гидрогенизированного слоя увеличивается по мере уменьшения уровня легирования полупроводника. Приводятся и обсуждаются закономерности формирования конечного состояния системы водород--кристалл в зависимости от скорости охлаждения образца.

 PDF версия (612Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster