ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм

Ю.Г.Садофьев, N.Samal, Б.А.Андреев\kern1pt*, В.И.Гавриленко\kern1pt*,
С.В.Морозов\kern1pt*, А.Г.Спиваков\kern1pt*, А.Н.Яблонский\kern1pt*

Trion Technology, Tempe
AZ, USA
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 15 июля 2009 г. Принята к печати 24 августа 2009 г.)

Найдены оптимальные режимы роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaAs1-xSbx/GaAs и показано, что за счет увеличения встраивания сурьмы эффективная длинноволновая фотолюминесцения при T=300 K может быть получена вплоть до lambda=1.3 мкм. С ростом мощности возбуждения, кроме характерного для гетероперехода II рода коротковолнового сдвига максимума интенсивности фотолюминесценции, обнаружено возникновение коротковолновой линии, связываемой с прямыми в реальном пространстве оптическими переходами, что подтверждается результатами исследования спектров фотолюминесценции с субпико- и наносекундным временным разрешением при импульсном возбуждении.

 PDF версия (628Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster