ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K

В.П.Кузнецов+*, М.В.Кузнецов+, З.Ф.Красильник*

+ Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 15 июля 2009 г. Принята к печати 24 августа 2009 г.)

Анализируются диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения при 300 K электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм. Структуры выращивались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Обсуждаются пути повышения интенсивности свечения.

 PDF версия (519Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster