ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами

Н.А.Поклонский\kern1pt, Н.И.Горбачук, С.В.Шпаковский\kern1pt*, С.Б.Ластовский\kern1pt$, A.Wieck\kern1ptx

Белорусский государственный университет,
220030 Минск, Республика Беларусь
* Унитарное предприятие \glqq Завод Транзистор\grqq Научно-производственного объединения \glqq Интеграл\grqq,
220064 Минск, Республика Беларусь
$ Государственное научно-производственное объединение \glqq Научно-практический центр по материаловедению\grqq
Национальной академии наук Беларуси,
220072 Минск, Республика Беларусь
x Ruhr--Universitat Bochum,
D-44780 Bochum, Deutschland

(Получена 30 июля 2009 г. Принята к печати 20 августа 2009 г.)

Исследованы кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные электронами энергией 3.5 МэВ, флюенсами от 1015 до 4·1016 см-2. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь tgdelta от частоты f переменного тока в интервале f=102-106 Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей tgdelta(f) при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления n-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании tgdelta(f) невелика.

 PDF версия (588Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster