ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN
флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной
тепловизионной микроскопии

А.Л.Закгейм\kern1pt, Г.Л.Курышев\kern1pt*, М.Н.Мизеров, В.Г.Половинкин\kern1pt*, И.В.Рожанский\kern1pt+, А.Е.Черняков

Научно-технологический центр микроэлектроники
и субмикронных гетероструктур Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 30 июля 2009 г. Принята к печати 20 августа 2009 г.)

Представлены результаты экспериментального исследования температурных полей, возникающих в мощных AlGaInN-гетеросветодиодах в результате саморазогрева при больших рабочих токах. Использованный метод инфракрасной тепловизионной микроскопии позволил провести непосредственное измерение распределения температуры по площади p-n-перехода с высоким пространственным разрешением ~3 мкм при абсолютной погрешности измерений ~2 K. Показано, что в мощных светодиодах при высоких уровнях возбуждения могут возникать значительные температурные градиенты, обусловленные неоднородностью в распределении плотности тока по площади активной области. Этот эффект необходимо учитывать как при конструировании излучающих кристаллов, так и при оценке допустимых режимов эксплуатации. Метод инфракрасной тепловизионной микроскопии позволяет также выявлять микродефекты, вызывающие каналы токовой утечки и снижающие надежность работы приборов.

 PDF версия (1.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster