ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Форма рельефа гетерограниц в (311)А-ориентированных структурах GaAs/AlAs

Д.В.Гуляев , К.С.Журавлев

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 16 июня 2009 г. Принята к печати 30 июля 2009 г.)

Проведено экспериментальное исследование стационарной фотолюминесценции и кинетики фотолюминесценции (100)- и (311)A-ориентированных сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Обнаружено, что в (100)-ориентированных структурах падение интенсивности стационарной фотолюминесценции и ускорение кинетики фотолюминесценции не зависят от направления электрического поля поверхностной акустической волны относительно кристаллографических направлений, тогда как в (311)A-ориентированных структурах эти эффекты анизотропны. Показано, что все изменения в стационарной фотолюминесценции, а также в кинетике фотолюминесценции (100)- и (311)A-структур под действием электрического поля акустической волны связаны с переносом и захватом на центры безызлучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда, исходно локализованных в широких квантовых ямах, образованных флуктуациями толщины слоев структур. Из полученных экспериментальных данных определены параметры рельефа гетерограниц (311)A-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs. Установлено, что латеральные размеры микроканавок в направлении [011] на прямой и на обратной гетерограницах (311)A-сверхрешеток превышают 3.2 нм, а модуляция толщины слоев AlAs составляет от 0.8 до 1.2 нм.

 PDF версия (642Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster