ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетероструктурах с множественными
квантовыми ямами InGaN/GaN

О.В.Кучерова , В.И.Зубков , А.В.Соломонов, Д.В.Давыдов *+

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет \glqq ЛЭТИ\grqq,
197376 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ ЗАО \glqq Светлана-Оптоэлектроника\grqq,
194156 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 июля 2009 г. Принята к печати 8 августа 2009 г.)

Впервые с помощью комплекса адмиттансной спектроскопии в широком интервале температур 6-300 K исследовались светоизлучающие гетероструктуры с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. В спектрах проводимости обнаружены три пика, соответствующие эмиссии носителей заряда из квантовых ям и из точечных дефектов, распределенных в объеме полупроводника. Два низкотемпературных пика обладают аномальным поведением: пик с малым значением наблюдаемой энергии активации (17 мэВ) оказывается смещенным в область больших температур по сравнению с более высокоэнергетичным пиком (30 мэВ). Последний ассоциируется с объемным дефектом, имеющим аномально большое сечение захвата sigman=1.5·10-11 см2.

 PDF версия (690Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster