ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001)

А.В.Новиков, А.Н.Яблонский, В.В.Платонов\kern1pt*, С.В.Оболенский\kern1pt+, Д.Н.Лобанов, З.Ф.Красильник

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Саровский физико-технический институт,
607183 Саров, Россия
+ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 9 июля 2009 г. Принята к печати 8 августа 2009 г.)

Выполнены исследования влияния радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур Si/Ge с различной степенью пространственной локализации носителей заряда. Показано, что радиационная стойкость гетероструктур Si/Ge увеличивается по мере роста эффективности локализации носителей заряда в них. Пространственная локализация носителей заряда в SiGe-наноструктурах уменьшает вероятность их безызлучательной рекомбинации на радиационных дефектах, созданных в Si-матрице. Продемонстрировано, что наибольшей радиационной стойкостью из исследованных структур обладают люминесцентные свойства многослойных структур с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками, в которых реализована наиболее эффективная пространственная локализация носителей зарядя: трехмерная для дырок в островках и двухмерная для электронов в Si-слоях, разделяющих соседние слои с островками.

 PDF версия (673Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster