ФТП, 2010, том 44, выпуск 3: page 302...

ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации

К.В.Феклистов^\kern1pt, Л.И.Федина, А.Г.Черков

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова,
Сибирское отделение Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 9 июля 2009 г. Принята к печати 24 августа 2009 г.)

Преципитация бора, имплантированного в Si с дозой

1

·10¹⁶см^-2, исследована в зависимости от концентрации узлового бора (

C

_B₀), введенного до имплантации, и последующего отжига при

900

^oC. Показано, что

C

_B₀=2.5·10²⁰см^-3 является критическим значением, при котором образование преципитатов не зависит от концентрации точечных дефектов, введенных имплантацией ( вдали или вблизи от среднего проецированного пробега

R

_p), и является доминирующим каналом деактивации бора. При меньших значениях

C

_B₀, приближающихся к равновесному значению, преципитация наблюдается лишь вдали от

R

_p, в областях с пониженной концентрацией точечных дефектов. В то время как в области

R

_p с высокой концентрацией точечных дефектов большая часть атомов бора вовлекается в кластеризацию собственных межузельных атомов с образованием дислокационных петель и также становится электрически неактивной.

PDF версия (944Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2010, Коллектив авторов Разработано... webmaster