ФТП, 2010, том 44, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3.3 мкм)

А.П.Астахова, А.С.Головин, Н.Д.Ильинская, К.В.Калинина, С.С.Кижаев ,
О.Ю.Серебренникова, Н.Д.Стоянов, Zs.J.Horvath *, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Hungarian Academy of Sciences,
Budapest 114, H-1525 Hungary

(Получена 1 июля 2009 г. Принята к печати 16 июля 2009 г.)

Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3.3-3.4 мкм достигал величины 22.3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5.5 мВт при токе 9 А.

 PDF версия (652Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster