ФТП, 2010, том 44, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом
МОС-гидридной эпитаксии

Д.А.Винокуров, В.П.Коняев*, М.А.Ладугин*, А.В.Лютецкий, А.А.Мармалюк*, А.А.Падалица*,
А.Н.Петрунов, Н.А.Пихтин, В.А.Симаков*, С.О.Слипченко, А.В.Сухарев*,
Н.В.Фетисова, В.В.Шамахов, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* ФГУП НИИ << Полюс>> им. М.Ф. Стельмаха,
117342 Москва, Россия

(Получена 30 июля 2009 г. Принята к печати 20 августа 2009 г.)

Выбраны параметры конструкции эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных асимметричных лазерных гетероструктур раздельного ограничения. Определены технологические режимы изготовления таких гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs. Показана возможность изготовления в одном технологическом процессе высокоэффективных туннельных структур GaAs:Si/GaAs:C и асимметричных лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с малыми внутренними оптическими потерями. Выбраны условия формирования глубокой мезы для изготовления мезаполосковых многомодовых лазеров на основе эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных лазерных гетероструктур. На основе таких структур изготовлены мезаполосковые лазеры с апертурой 150x12 мкм. В образцах достигнуты значения плотности порогового тока Jth=96 А/см2, внутренние оптические потери alphai=0.82 см-1 и дифференциальное сопротивление R=280 мОм. В импульсном режиме генерации (100 нс, 1 кГц) в образцах, содержащих три лазерные структуры, получен наклон ватт-амперной характеристики 3 Вт/А и максимальная мощность 250 Вт.

 PDF версия (776Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster