| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела органических диэлектриков
В.Р.Никитенко, А.Р.Тамеев, А.В.Ванников
Московский инженерно-физический институт
(Национальный исследовательский ядерный университет),
115409 Москва, Россия
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
(Получена 1 июля 2009 г. Принята к печати 10 июля 2009 г.)
| Проведен теоретический анализ прыжковой подвижности носителей заряда (как поверхностной, так и объемной) при наличии электронно-дырочных пар. Предложена физическая модель электропроводности металлического типа вдоль границы раздела (интерфейса) органических материалов, каждый из которых в отдельности является диэлектриком. Причиной является образование на границе раздела геминальных пар с достаточно высокой поверхностной плотностью. Определены условия, при которых для значительной части носителей заряда переходы между молекулами не требуют термической активации и туннелирования. Численным моделированием получены оценки величин поверхностной электропроводности и подвижности носителей заряда. |
| PDF версия (572Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2010, Коллектив авторов Разработано... webmaster |