ФТП, 2010, том 44, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Видимая фотолюминесценция селективно травленных
пористых nc-Si-SiOx-структур

И.З.Индутный , Е.В.Михайловская, П.Е.Шепелявый, В.А.Данько

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 3 июня 2009 г. Принята к печати 24 июня 2009 г.)

Представлены результаты первых исследований влияния селективного травления на фотолюминесценцию пористых nc-Si-SiOx структур, которые содержат нанокластеры кремния (nc-Si) в матрице SiOx. В исходных образцах при комнатной температуре наблюдаются интенсивные полосы фотолюминесценции с максимумами при 840 и 660 нм, обусловленные излучательной рекомбинацией свободных (либо связанных в экситоны) носителей, которые возбуждаются в nc-Si. В результате селективного травления nc-Si-SiOx-структур в 1% растворе HF эти полосы значительно сдвигаются в более высокоэнергетическую область спектра. Предполагается, что эволюция спектров вызвана уменьшением размеров кремниевых наночастиц вследствие травления оксида и доокисления nc-Si. Полученные результаты показывают, что с помощью селективного травления оксидной матрицы можно управлять спектрами излучения пористых nc-Si-SiOx-структур.

 PDF версия (872Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster