ФТП, 2010, том 44, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb

Я.В.Терентьев, А.А.Торопов, Б.Я.Мельцер, А.Н.Семенов, В.А.Соловьев,
И.В.Седова, А.А.Усикова, С.В.Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 июня 2009 г. Принята к печати 23 июня 2009 г.)

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4.7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma--поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшенем радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения.

 PDF версия (602Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster