ФТП, 2010, том 44, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Субструктура и люминесценция низкотемпературных
гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)

П.В.Середин , А.В.Глотов, Э.П.Домашевская, И.Н.Арсентьев *,
Д.А.Винокуров *, И.С.Тарасов *, И.А.Журбина +

Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119991 Москва, Россия

(Получена 8 июня 2009 г. Принята к печати 15 июня 2009 г.)

Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода.

 PDF версия (658Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster