ФТП, 2010, том 44, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл)--(слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe

А.П.Бахтинов\kern1pt, В.Н.Водопьянов, З.Д.Ковалюк, В.В.Нетяга, О.С.Литвин\kern1pt*

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича
Национальной академии наук Украины,
Черновицкое отделение,
58001 Черновцы, Украина
* Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 30 июня 2009 г. Принята к печати 10 июля 2009 г.)

После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga2Se3/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела \glqq металл--слоистый полупроводник\grqq. В температурном диапазоне 220--350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>106 Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga2Se3 и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела \glqq ферромагнитный металл--полупроводник\grqq, где расположены наноразмерные включения.

 PDF версия (960Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster