ФТП, 2010, том 44, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si

Т.А.Пагава , Н.И.Майсурадзе

Грузинский технический университет, Республиканский центр структурных исследований (РЦСИ),
0175 Тбилиси, Грузия

(Получена 29 марта 2009 г. Принята к печати 21 апреля 2009 г.)

Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6·1013 см-3 исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8.1·1012 см-2, эффективное значение подвижности электронов проводимости mueff резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов.

 PDF версия (489Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster