ФТП, 2010, том 44, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих
диодов диапазона 440-470 нм

А.Ф.Цацульников *,+,, В.В.Лундин *,+, А.В.Сахаров *,+, Е.Е.Заварин *,+, С.О.Усов *,+,
А.Е.Николаев *,+, Н.А.Черкашин *,\land, Б.Я.Бер *, Д.Ю.Казанцев *,
М.Н.Мизеров +, Hee SeokPark , M.Hytch \land, F.Hue \land

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур
при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd., Suwon,
Gyunggi-Do, Korea
\land Center for Material Elaboration \& Structural Studies of the National Center for Scientific Research,
31055 Toulouse, France

(Получена 8 июня 2009 г. Принята к печати 15 июня 2009 г.)

Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств светодиодных структур с активной областью на основе сверхтонких InGaN-квантовых ям, ограниченных с обеих сторон короткопериодными сверхрешетками InGaN/GaN. Исследованы зависимости эффективности излучения от дизайна активной области. Показано, что использование InGaN/GaN в качестве ограничивающих варизонных короткопериодных сверхрешеток позволяет существенно увеличить квантовую эффективность излучения.

 PDF версия (859Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster