ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах

С.О.Слипченко, Д.А.Винокуров, А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин, А.Л.Станкевич,
Н.В.Фетисова, А.Д.Бондарев, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 24 марта 2009 г. Принята к печати 6 апреля 2009 г.)

Исследованы излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров мезаполосковой конструкции на базе гетероструктур раздельного ограничения. Показано, что в мощных полупроводниковых лазерах мезаполосковой конструкции с ростом тока накачки возрастает расходимость излучения в результате включения поперечных мод высших порядков. Показано, что рассеянное излучение поперечных мод высших порядков влияет на просветление пассивных областей вне мезаполоска, образующего волновод резонатора Фабри-Перо. Установлено, что просветление пассивных областей приводит к выполнению пороговых условий для замкнутой моды кристалла полупроводникового лазера. В результате возникновения генерации замкнутой моды резонатора, образованного четырьмя сколотыми гранями, наступает срыв генерации мод в мезаполосковом волноводе резонатора Фабри-Перо.

PACS: 42.55.Px

 PDF версия (287Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster