ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование оптических характеристик структур
с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs

Д.А.Винокуров , В.А.Капитонов, Д.Н.Николаев, З.Н.Соколова,
А.Л.Станкевич, В.В.Шамахов, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 30 марта 2009 г. Принята к печати 3 апреля 2009 г.)

Представлены результаты фотолюминесцентных исследований гетероструктур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs. Показано, что интенсивность фотолюминесценции в зависимости от толщины квантовой ямы имеет максимум, положение которого зависит от состава твердого раствора InxGa1-xAs. Длина волны фотолюминесценции при максимальной интенсивности составила 1.13 мкм при толщине квантовой ямы 60 Angstrem и 1.14 мкм при толщине 50 Angstrem для x=0.39 и x=0.42 соответственно.

PACS: 42.55.Px, 78.55.Cr, 78.67.De

 PDF версия (136Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster