ФТП, 2009, том 43, выпуск 10: page 1362...

ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния

А.В.Семенов, А.В.Лопин, В.М.Пузиков, В.Н.Борискин^\kern1pt*

Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины,
61001 Харьков, Украина
^* Национальный научный центр \glqq Физико-технический институт\grqq Национальной академии наук Украины,
61108 Харьков, Украина

(Получена 16 марта 2009 г. Принята к печати 25 марта 2009 г.)

Изучено влияние облучения электронами на оптические и электрофизические свойства нанокристаллических пленок карбида кремния ромбоэдрических политипов

21R

-SiC и

27R

-SiC. Проведены циклы облучения нанокристаллических пленок SiC на подложках из сапфира электронами с энергией 10 МэВ в диапазоне флюэнсов

5

·10¹⁴-9·10¹⁹ см

^-2. Установлено, что при дозах облучения менее

10

¹⁹ см

^-2 оптическое поглощение пленок в области энергий фотонов

E>E

_g становится меньше оптического поглощения необлученных пленок. Установлено, что зависимость энергии Урбаха от дозы облучения имеет минимум при дозе

10

¹⁷ см

^-2 для пленок

27R

-SiC и при

5

·10¹⁷ см

^-2 для пленок

21R

-SiC, что свидетельствует о радиационном упорядочении пленок. При увеличении дозы более

5

·10¹⁷ см

^-2 и вплоть до

9

·10¹⁹ см

^-2 в пленках наблюдаются рост энергии Урбаха и уменьшение оптической щели, что обусловлено повышением концентрации радиационных дефектов.

PACS: 81.40.Wx, 61.82.Rx, 78.40.Fy, 78.66.Li, 78.67.Bf

PDF версия (285Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster