ФТП, 2009, том 43, выпуск 10
ФТП, 2009, том 43, выпуск 10
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Плоские двухбарьерные резонансно-туннельные структуры: резонансные энергии и резонансные ширины
квазистационарных состояний электрона
Н.В.Ткач, Ю.А.Сети
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина
(Получена 8 декабря 2008 г. Принята к печати 22 января 2009 г.)
|
Предложена теория резонансных энергий и ширин квазистационарных состояний на основе функции распределения плотности вероятности нахождения электрона в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре с использованием трансфер-матрицы и -матрицы рассеяния в моделях прямоугольных и -образных потенциалов с различными эффективными массами в слоях наносистемы. На примере наносистемы InGaAs/InAlAs выполнен анализ эволюции спектральных параметров квазистационарных состояний электрона в зависимости от геометрических размеров разонансно-туннельной структуры, рассчитанных тремя разными методами. Показано, что поскольку по отношению к более реалистичной модели прямоугольных потенциалов -барьерная модель завышает величины резонансных ширин в десятки раз, она может быть использована только для грубых оценок. PACS: 73.21.Fg, 73.90.+f |
| PDF версия (789Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |