ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Край собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон

А.Н.Пихтин , Х.Х.Хегази

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
197376 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 1 апреля 2009 г. Принята к печати 6 апреля 2009 г.)

Приведена удобная для практического применения методика расчетов спектров фундаментального поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон. Методика базируется на знании спектров собственного поглощения составляющих твердый раствор бинарных соединений, учитывает непараболичность зоны проводимости и содержит всего один дополнительный \glqq подгоночный параметр\grqq, определяющий неоднородное уширение спектров. Она апробирована на наиболее изученных и важных в прикладном отношении твердых растворах AlxGa1-xAs, изорешеточном с GaAs (AlxGa1-x)0.5In0.5P, изорешеточном с InP GaxIn1-xAs и может быть применена к другим соединениям как AIIIBV, так и AIIBVI. Полученные результаты позволяют рассчитать спектры собственной люминесценции твердых растворов.

PACS: 78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.55.Cr, 78.66.Fd

 PDF версия (296Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster