ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кристаллическое совершенство пленок GaP,
выращенных методом молекулярной эпитаксии
на подложках Si с использованием атомарного водорода

М.А.Путято, Ю.Б.Болховитянов , А.П.Василенко, А.К.Гутаковский

Институт физики полупроводников Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 11 февраля 2009 г. Принята к печати 23 февраля 2009 г.)

Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6o вокруг оси <011>. Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0.1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному.

PACS: 81.05.Cy, 81.05.Ea, 81.15.-z

 PDF версия (1.6Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster