ФТП, 2009, том 43, выпуск 9: page 1257...

ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Фотоэлектрические сигнатуры кристаллов CdZnTe

А.В.Бут^\kern1pt, В.П.Мигаль, А.С.Фомин

Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского \glqq ХАИ\grqq,
61070 Харьков, Украина

(Получена 14 января 2009 г. Принята к печати 2 февраля 2009 г.)

Для выявления распределения явных и скрытых электрически активных дефектов различного типа и разного масштаба, влияющих на фотоотклик твердых растворов Cd

_1-xZn

_xTe (

x=0.05-0.2

), предложено сопоставление локальных фотоэлектрических сигнатур

U-I(y)

_f,lambda различных участков образца (

U

--- тестирующее напряжение,

I

--- фототок,

y

--- координата,

lambda --- длина волны,

f

--- частота тестирующего сигнала), в то время как для поиска локальных неустойчивостей фотоотклика наиболее подходят совокупности интегральных сигнатур

U-I(

Delta y)_f,lambda. Впервые показано, что многомасштабность и согласованность полей дефектов и воздействующего поля порождает спектральные особенности фотоотклика (перестройку спектров, проявление скрытых полос фоточувствительности), которые наиболее полно и интегративно отображаются на сигнатурах спектров фототока

I(

lambda)-dI/dlambda.

PACS: 71.23.An, 71.55.Gs, 72.40.+w

PDF версия (186Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster