ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование туннельных диодов GaAs : Si/GaAs : C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии

Д.А.Винокуров\kern1pt, М.А.Ладугин\kern1pt*, А.А.Мармалюк\kern1pt*, А.А.Падалица\kern1pt*, Н.А.Пихтин, В.А.Симаков\kern1pt*,
А.В.Сухарев\kern1pt*, Н.В.Фетисова, В.В.Шамахов, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* ФГУП НИИ \glqq Полюс\grqq им. М.Ф. Стельмаха,
117342 Москва, Россия

(Получена 3 марта 2009 г. Принята к печати 10 марта 2009 г.)

Определены технологические режимы для создания высокоэффективных туннельных структур GaAs : Si/GaAs : C методом МОС-гидридной эпитаксии. Продемонстрировано, что использование легирующих примесей C и Si позволяет получить p-n-переход с малым диффузионным размытием профилей легирующих примесей. Показано, что для создания высокоэффективных туннельных диодов необходимо легирование слоев GaAs акцепторной и донорной примесью до уровня ~9·1019 см-3. На основе созданных туннельных структур изготовлены туннельные диоды и исследованы их вольт-амперные характеристики. В туннельных диодах достигнуты значения плотности пикового тока Jp~1.53 кА/см2 и при обратном смещении дифференциальное сопротивление R~30 мОм. PACS: 85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 81.15.Ch

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster