ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC

П.А.Иванов, И.В.Грехов, А.С.Потапов, Н.Д.Ильинская,
Т.П.Самсонова, О.И.Коньков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 5 февраля 2009 г. Принята к печати 20 февраля 2009 г.)

Изготовлены интегрированные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC, в которых локальные p-n-переходы под контактом Шоттки сформированы с помощью неравновесной диффузии бора. Статические и динамические характеристики изготовленных JBS-диодов сравниваются с характеристиками аналогичных диодов Шоттки на 4H-SiC. Показано, что по сравнению с обычными диодами Шоттки токи утечки в JBS-диодах при одном и том же обратном напряжении уменьшаются в среднем в 200 раз. Заряд обратного восстановления для обоих типов диодов одинаков и равен заряду основных носителей, выносимых из базовой n-области при переключении.

PACS: 73.40.Lq, 73.40.Ns, 85.30.De, 85.30.Hi, 85.30.Kk

 PDF версия (590Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster