ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диода

А.В.Горбатюк\kern1pt, Ф.Б.Серков\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. Ульянова (Ленина),
197376 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 20 января 2009 г. Принята к печати 23 января 2009 г.)

На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом p-i-n-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта --- формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J>300-500 А/см2. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 1018 см-3.

PACS: 44.10.+i, 85.30.Kk, 85.30.Mn

 PDF версия (252Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster