ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Простейшие электронно-дырочные комплексы, локализованные на продольных флуктуациях квантовых проволок

М.А.Семина , Р.А.Сергеев, Р.А.Сурис

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 марта 2009 г. Принята к печати 11 марта 2009 г.)

Вариационным методом исследовано влияние на состояния электронно-дырочных комплексов в полупроводниковых квантовых проволоках их дополнительной локализации вдоль оси структуры. Предложены простые пробные функции с небольшим числом физически обоснованных подгоночных параметров, обеспечивающие хорошую точность вычисления энергий связи основных состояний комплексов в широком диапазоне изменения параметров системы. Общий вид предложенных пробных функций не зависит от конкретной формы потенциала неоднородности. Применимость метода проиллюстрирована на примерах экситона, X+- и X--трионов, локализованных на неоднородности, описываемой параболическими потенциалами. Произведена оценка погрешности разработанного метода для описания локализации комплексов на потенциале неоднородности произвольной формы. Точность вариационных расчетов энергии связи локализованного экситона оценена путем сопоставления результатов с полученными с помощью непосредственной численной диагонализации гамильтониана.

PACS: 73.21.Hb, 71.35.Pq

 PDF версия (1.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster