ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Транспорт электронов в квантовой яме GaAs в сильных электрических полях

Ю.Пожела, К.Пожела, Р.Рагуотис, В.Юцене

Институт физики полупроводников,
LT-01108 Вильнюс, Литва

(Получена 26 января 2009 г. Принята к печати 4 марта 2009 г.)

Определены скорости внутри- и межподзонного рассеяния электронов на полярных оптических и междолинных фононах в зависимости от энергии электрона и ширины глубокой прямоугольной квантовой ямы GaAs. Методом Монте-Карло вычислены полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах шириной 10, 20 и 30 нм. Показано, что дрейфовая скорость в сильных электрических полях в квантовой яме значительно превышает максимальную дрейфовую скорость насыщения в объемном материале.

PACS: 73.63.Hs, 72.20.Ht, 72.10.Di

 PDF версия (191Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster