ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Протекание тока по металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным полупроводникам AIIIBV

Т.В.Бланк\kern1pt, Ю.А.Гольдберг, Е.А.Поссе

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 февраля 2009 г. Принята к печати 20 февраля 2009 г.)

Экспериментально установлено, что контакт металл-широкозонный полупроводник (GaAs, GaP, GaN) с барьером Шоттки переходит в омический контакт либо в процессе непрерывного нагревания, либо в процессе выдержки при повышенной температуре еще до образования каких-либо рекристаллизованных слоев. При этом сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры для полупроводников с высокой плотностью дислокаций (GaP, GaN). Предполагается, что в таких контактах ток протекает по металлическим шунтам, закорачивающим слой объемного заряда и представляющим собой атомы металла, продиффундировавшие по линиям дислокаций или других несовершенств полупроводника. Сопротивление омического контакта, приведенное к единице площади, в полупроводниках с низкой плотностью дислокаций (GaAs) уменьшается с ростом температуры, как и ожидалось для термоэлектронного механизма протекания тока.

PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg

 PDF версия (178Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster