ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические свойства монокристаллов In2Se3 и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In2Se3

И.В.Боднарь, Г.А.Ильчук *, Р.Ю.Петрусь*, В.Ю.Рудь+, Ю.В.Рудь, М.Сергинов #

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Беларусь
* Национальный университет \glqq Львивська Политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
+ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
# Туркменский государственный университет,
744000 Ашхабад, Туркмения

(Получена 25 декабря 2008 г. Принята к печати 9 февраля 2009 г.)

Методом Бриджмена выращены монокристаллы In2Se3 диаметром 14 и длиной ~40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In2Se3. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In2Se3 определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In2Se3. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений.

PACS: 61.10.-i, 61.82.Fk

 PDF версия (175Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster