ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние магнитного фазового перехода на перенос заряда в слоистых полупроводниковых ферромагнетиках TlCrS2, TlCrSe2

Р.Г.Велиев, Р.З.Садыхов, Э.М.Керимова\kern1pt, Ю.Г.Асадов, А.И.Джаббаров

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
Az-1143 Баку, Азербайджан

(Получена 26 января 2009 г. Принята к печати 4 февраля 2009 г.)

Твердотельной реакцией синтезированы кристаллы TlCrS2, TlCrSe2. Рентгенографическим анализом выявлено, что соединения TlCrS2 и TlCrSe2 кристаллизуются в гексагональной сингонии соответственно с параметрами кристаллической решетки a=3.538 Angstrem, c=21.962 Angstrem, c/a~6.207, z=3, рентгеновской плотностью rhox=6.705 г/см3 и a=3.6999 Angstrem, c=22.6901 Angstrem, c/a~6.133, z=3, рентгеновской плотностью rhox=6.209 г/см3. В интервале температур 77-400 K проведены магнитные и электрические исследования, которые показали, что TlCrS2, TlCrSe2 являются полупроводниковыми ферромагнетиками. Достаточно большое отклонение значения экспериментального эффективного магнитного момента TlCrS2 (3.26 muB) и TlCrSe2 (3.05 muB) от теоретического (3.85 muB) объясняется наличием двумерного магнитного упорядочения в парамагнитной области сильно слоистых ферромагнетиков TlCrS2, TlCrSe2. Обнаружено влияние магнитного фазового перехода на перенос заряда в TlCrS2, TlCrSe2.

PACS: 75.30 Gw, 75.50 Dd, 75.50.Pp

 PDF версия (168Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster