ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa2S4, MnIn2S4 и MnGaInS4

Н.Н.Нифтиев, О.Б.Тагиев*

Азербайджанский государственный педагогический университет,
Az-1000 Баку, Азербайджан
* Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
Az-1143 Баку, Азербайджан

(Получена 16 декабря 2008 г. Принята к печати 31 января 2009 г.)

Приводятся результаты исследования влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa2S4, MnIn2S4 и MnGaInS4. Определены энергии активации в сильном и слабом электрических полях. Установлено, что уменьшение энергии активации с ростом внешнего напряжения связано с уменьшением высоты потенциальной ямы, в которой электрон находится.

PACS: 72.80.Ga, 73.20.Hb

 PDF версия (137Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster