ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм генерации дефектов донорной и акцепторной природы в полупроводнике n-TiNiSn, сильно легированном примесью Co

В.А.Ромака +*, Ю.В.Стаднык $, D.Fruchart , Т.И.Доминюк *,
Л.П.Ромака $, P.Rogl \#, А.М.Горынь $

+ Институт прикладных проблем механики и математики им. Я.С. Пидстрыгача
Национальной академии наук Украины,
79060 Львов, Украина
* Национальный университет \glqq Львовская политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
$ Львовский национальный университет им. Ивана Франко,
79005 Львов, Украина
Лаборатория Нееля Национального центра научных исследований,
38042 Гренобль, Франция
\# Институт физической химии университета г. Вена,
А-1090 Вена, Австрия

(Получена 10 июля 2008 г. Принята к печати 24 декабря 2008 г.)

Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента термоэдс, структурные характеристики, а также произведен расчет распределения плотности электронных состояний интерметаллического полупроводника n-TiNiSn, сильно легированного примесью Co (концентрации Co NCo~9.5·1019-1.9·1021 см-3), в температурном диапазоне 80-380 K. Показано, что в TiNi1-xCoxSn с x<0.03 атомы примеси одновременно в разных соотношениях занимают кристаллографические позиции атомов Ti и Ni, генерируя дефекты донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского--Эфроса.

PACS: 71.20.Nr, 72.20.Pa

 PDF версия (249Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster