ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности механизмов генерации и \glqq залечивания\grqq структурных дефектов в сильно легированном интерметаллическом полупроводнике n-ZrNiSn

В.А.Ромака\kern1pt*,+,, E.K.Hlil\kern1pt, Я.В.Сколоздра\kern1pt+, P.Rogl\kern1pt\land, Ю.В.Стаднык\kern1pt=/=, Л.П.Ромака\kern1pt=/=, А.М.Горынь\kern1pt=/=

* Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины,
79060 Львов, Украина
+ Национальный университет \glqq Львовская политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
Институт Нэеля Национального центра научных исследований,
38042 Гренобль, Франция
\land Институт физической химии университета г. Вена,
A-1090 Вена, Австрия
=/= Львовский национальный университет им. И. Франко,
79005 Львов, Украина

(Получена 3 декабря 2008 г. Принята к печати 9 февраля 2009 г.)

Исследованы структурные, энергетические и электрокинетические характеристики интерметаллического полупроводника ZrNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y (NAY~3.8·1020-4.8·1021 см-3) в температурном диапазоне T=80-380 K. Установлена зависимость между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.

PACS: 71.20.Nr, 72.20.Pa

 PDF версия (352Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster