ФТП, 2009, том 43, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности эпитаксиального роста
узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs

К.Д.Моисеев\kern1pt, Я.А.Пархоменко, Е.В.Гущина, А.В.Анкудинов,
М.П.Михайлова, Н.А.Берт, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 января 2009 г. Принята к печати 4 февраля 2009 г.)

В интервале температур T=420-450oC методом жидкофазной эпитаксии на подложках InAs были получены массивы когерентных квантовых точек InSb с плотностью (0.9-2)· 1010 см-2, размеры которых составляли 3 нм в высоту и 13 нм в диаметре. Обнаружен бимодальный характер распределения квантовых точек по размерам, который был объяснен комбинированным механизмом роста этих нанообъектов. Впервые изучены структурные характеристики отдельной квантовой точки InSb, сформированной на поверхности InAs, с помощью методов атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Для квантовых точек в системе InSb/InAs впервые наблюдались картины муаровых узоров, при этом период муара 3.5 нм соответствовал квантовым точкам InSb без примеси мышьяка.

PACS: 68.37.Lp, 68.37.Ps, 81.07.Ta, 81.15.Lm

 PDF версия (894Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster