ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных
слоев GaN : Mg, выращенных методом МО ГФЭ

В.В.Лундин , А.В.Сахаров, Е.Е.Заварин, М.А.Синицын, А.Е.Николаев, Г.А.Михайловский,
П.Н.Брунков, В.В.Гончаров, Б.Я.Бер, Д.Ю.Казанцев, А.Ф.Цацульников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 25 ноября 2008 г. Принята к печати 8 декабря 2008 г.)

Магний является единственной легирующей примесью для получения слоев GaN p-типа проводимости методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Большая энергия активации магния в GaN требует высоких концентраций вводимой примеси, что приводит к ухудшению морфологии растущих слоев. В работе описано влияние режимов роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, легированных магнием. Показано, что морфология поверхности сильно легированных слоев зависит от среднего содержания магния в слое и значительно улучшается при использовании азота в качестве несущего газа.

PACS: 81.05.Ea, 81.15.Gh, 61.72.uj, 68.37.Ps

 PDF версия (2.6Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster