ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Твердотельные преобразователи изображения на основе
структур GaAs/ZnS

В.М.Калыгина, А.В.Тяжев, Т.М.Яскевич

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета,
634050 Томск, Россия

(Получена 31 октября 2008 г. Принята к печати 17 ноября 2008 г.)

Исследованы вольт-яркостные характеристики и частотные зависимости яркости свечения электролюминесцентных конденсаторов на основе люминофора ZnS : Cu,Al. Изучено влияние рентгеновского излучения (17 кэВ) на высокоомные слои GaAs, полученные тремя способами. С помощью математического моделирования показана возможность создания детекторов ионизирующего излучения с оптическим считыванием информации при использовании структур GaAs/ZnS. Отмечено, что наиболее перспективным материалом для разработки твердотельных преобразователей изображения оказывается GaAs : Cr, полученный диффузией хрома из напыленного слоя.

PACS: 73.61.Ey, 78.60.Fi, 78.66.Fd, 78.66.Hf, 85.60.Jb, 85.60.Pg

 PDF версия (1.6Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster