ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(Al)GaN для светодиодов
зеленого диапазона

А.В.Сахаров$^*+$, В.В.Лундин$^*+\P$, Е.Е.Заварин$^*+$, М.А.Синицын$^*+$, А.Е.Николаев$^*+$,
С.О.Усов$^*+$, В.С.Сизов$^*+$, Г.А.Михайловский$^*+$, Н.А.Черкашин$^+\times$, M.Hytch$^\times$,
F.Hue$^\times$, Е.В.Яковлев$^$, А.В.Лобанова$^$, А.Ф.Цацульников$^*+$

* Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур
при ФТИ им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
x Center for Material Elaboration \&Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS),
31055 Toulouse, France
OOO \glqq Софт-Импакт\grqq,
194156 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 октября 2008 г. Принята к печати 6 ноября 2008 г.)

Исследованы процессы формирования активных областей для зеленых светодиодов на основе многослойных напряженных наногетероструктур InGaN/GaN. Показано, что на формирование таких структур существенное влияние оказывает релаксация упругих напряжений, приводящая к повышению встраивания индия в слои InGaN. Для структур, излучающих в синем спектральном диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 10 не приводит к релаксации напряжений и сдвигу длины волны излучения, в то время как для структур, излучающих в зеленом диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 5 приводит к монотонному увеличению длины волны излучения.

PACS: 85.60.Jb, 81.15.Gh, 68.55.ag, 81.10.Aj, 81.05.Ea

 PDF версия (962Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster